| 研究課題/領域番号 |
23560381
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工 |
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研究代表者 |
立木 隆 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工, 電気情報学群, 准教授 (60531796)
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| 研究分担者 |
内田 貴司 防衛大学校, 電気情報学群, 教授 (50531802)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 酸化物高温超伝導体 / ジョセフソン接合 / テラヘルツ波 / 発振素子 |
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| 研究概要 |
高温超伝導体Bi-2212の固有ジョセフソン接合を用いた薄膜型テラヘルツ波発振素子の実現を目指し、以下の結果を得た。平坦性の高い酸化セリウムバッファ層の作製を通して有機金属分解法による大粒径Bi-2212薄膜作製のための知見が得られた。次に結合サイン・ゴードン方程式を用いた解析により薄膜アンテナと結合する上で重要な素子の高周波インピーダンスが求められた。また、新たに構築したテラヘルツ波測定システムにより発振素子の放射電力と発振周波数のバイアス依存性を測定し、動作状態の解析に重要な共振モードを同定した。以上のような要素技術を組み合わせることにより、高出力な薄膜型発振素子の実現が期待される。
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