研究課題/領域番号 |
23560384
|
研究種目 |
基盤研究(C)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
研究機関 | 山形大学 |
研究代表者 |
高橋 豊 山形大学, 理工学研究科, 准教授 (00260456)
|
連携研究者 |
稲葉 信幸 山形大学, 大学院理工学研究科, 教授 (50396587)
|
研究期間 (年度) |
2011 – 2013
|
研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
|
キーワード | スピントロニクス / 磁気記録 / 強磁性共鳴 / 磁気緩和係数 / 3d強磁性遷移金属 / rfマグネトロンスパッタリング / 強磁性共鳴測定 / 3d遷移金属 / RFマグネトロンスパッタリング |
研究概要 |
磁性薄膜の磁気緩和(スピン緩和)現象はパソコンに使われる磁気ディスクの速度や将来のメモリーとして期待されているスピンメモリー素子の消費電力に影響を及ぼす重要な現象であり、その物理的起源を明らかにすることは素子開発に必須の要件になっている。このために代表的な磁性金属である鉄(Fe)にコバルト(Co)あるいは ニッケル(Ni)を微量添加した単結晶合金薄膜を作製して、強磁性共鳴法を用いて磁気緩和係数を測定した。これらの薄膜では熱処理により結晶の状態を向上させると磁気緩和係数は低下することが示された。これは金属内の電子の散乱と磁気緩和が密接に関連しているという理論的予想に合致している。
|