研究課題
基盤研究(C)
多値記録可能な不揮発性メモリ(ReRAM)とSRAMを組み合わせたメモリに関する研究をおこなった。提案メモリセルは、2つの参照抵抗とプログラム可能な抵抗を通常のSRAMに接続したものである。 1つのセルは9個のトランジスタと3個の抵抗から構成され、電源を切る時に2bit記憶することができる。データをセルに書き込む時、可変抵抗の値を下げるべきなのか、上げるべきなのか、変更しなくて良いのかを判定する回路が通常必要であるが、今回提案する方式ではこの判定回路は不要である。また先行研究よりも安定にリコールできる方法を考案することができた。
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すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件) 備考 (1件)
Active and Passive Electronic Components
巻: Volume 2013 ページ: 839198-839198
10.1155/2013/839198
120005411682
巻: 2012 ページ: 181395-181395
10.1155/2012/181395
http://hope.mp.kanazawa-u.ac.jp/contents/research/