| 研究課題/領域番号 |
23560395
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
土屋 英昭 神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80252790)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | 高移動度材料 / グラフェンFET / ナノワイヤFET / ジャンクションレストランジスタ / モンテカルロシミュレーション / 原子論 / 量子力学的効果 / バリスティック輸送 / 低電圧駆動 / III-V MOSFET / グラフェン / ナノワイヤ / III-V MOS / ウィグナーモンテカルロ法 / ジャンクションレス・トランジスタ / シリセン / ゲルマネン / ナノデバイスシミュレーション / グリーンナノデバイス / 低消費電力 / グラフェンナノ材料 / ウィグナー・モンテカルロシミュレーション |
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| 研究成果の概要 |
新材料及び新構造を用いた次世代MOS型トランジスタの性能を高精度に予測するために、量子論的ウィグナー・モンテカルロシミュレータ並びに原子論的バリスティックシミュレータを開発した。III-V族化合物半導体は、ソース・ドレイン間直接トンネリングによるリーク電流増大と低状態密度による電流駆動力低下の回避が必須であることを示した。グラフェンFETの性能予測では、グラフェンナノリボン構造が原理的に最も優れた性能を示した。ジャンクションレス・トランジスタは、チャネル／ゲート酸化膜界面でのラフネス散乱が軽減されるため、次世代の超微細集積デバイスとして有力であることを示した。
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