量子ドットアレイ導波路を用いた広帯域光デバイス開発に関する研究

• 研究課題/領域番号: 23560412
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 下村 和彦 上智大学, 理工学部, 教授 (90222041)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2013
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: 量子ドット / 広帯域光通信 / 光デバイス / 有機金属気相成長 / アレイ導波路

研究概要

量子ドットコア層によるMOVPE選択成長アレイ導波路を用いた広帯域光デバイス開発に関する研究を行った。広帯域動作を得るために、アレイ導波路および多層構造の発光波長を独立に変化させる構造をダブルキャップ法とバッファ層の歪制御によって行った。層構造を変えた4種類の3層InAs量子ドットアレイ導波路型LED構造を試作し、その発光スペクトルを比較検討した。発光スペクトルの広帯域化のためには3層の発光波長を適切に制御し、同程度の発光強度を得ることが必要であることを示し、発光半値幅500nm以上、フラットトップスペクトルを持つLEDの開発に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Current injected spectrum change in flat-topped InAs/InP QDs arrayed waveguide LED with different QD heights (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: vol.10, no.11 ページ: 1438-1441
  • 査読あり
• [雑誌論文] Current injected spectrum change in flat-topped InAs/InP QDs arrayed waveguide LED with different QD heights (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: 10 号: 11 ページ: 1438-1441
  • DOI: 10.1002/pssc.201300226
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: 10 号: 11 ページ: 1357-1360
  • DOI: 10.1002/pssc.201300227
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely improved InP template and GaInAsP system growth on directly- bonded InP/SiO2-Si and InP/glass substrate (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: 10 号: 5 ページ: 782-785
  • DOI: 10.1002/pssc.201200592
  • 査読あり
• [雑誌論文] Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B, GaAs(100), InP(111)B, InP(100) by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Murakami , H. Funayama , K. Shimomura and T. Waho
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: 10 号: 5 ページ: 761-764
  • DOI: 10.1002/pssc.201200593
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: 10 ページ: 133-135
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.09.063
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: 370 ページ: 133-135
  • 査読あり
• [雑誌論文] Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Yoshikawa, T.Saegusa, Y.Iwane, M.Yamauchi, K.Shimomura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: Vol.5 ページ: 92103-92103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki, K.Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans. Electron. 巻: vol.E95-C, no. 7 ページ: 1265-1271
  • NAID: 10031023386
  • 査読あり
• [雑誌論文] Numerical calculation of wavelength demultiplexd light switching using variable index arrayed waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, K. Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans. Electron. 巻: vol.E95-C, no. 7 ページ: 1258-1264
  • 査読あり
• [雑誌論文] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: vol.9, no.2 ページ: 210-213
  • 査読あり
• [雑誌論文] Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi and K. Shimomura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 9 ページ: 092103-092103
  • DOI: 10.1143/apex.5.092103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki and K. Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans. Electron. 巻: E95-C ページ: 1265-1271
  • NAID: 10031023386
  • 査読あり
• [雑誌論文] Numerical calculation of wavelength demultiplexd light switching using variable index arrayed waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura
  • 雑誌名: IEICE Trans. Electron. 巻: E95-C ページ: 1258-1264
  • 査読あり
• [雑誌論文] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Phys. Staus Solidi C 巻: 9 ページ: 210-213
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: Vol.318 ページ: 1109-1112
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, and K. Shimomura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: 318 ページ: 1109-1112
  • 査読あり
• [学会発表] nAs積層量子ドットLEDにおける各層のピーク波長制御による広帯域化 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鋤柄俊樹, 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス(17p-PA2-3)
  • 年月日: 2014-03-17
• [学会発表] InAs積層量子ドットLEDの注入電流に対する各層の発光特性の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学(19a-P2-2)
  • 年月日: 2013-09-19
• [学会発表] Broadband and flat-topped spectrum of InAs/InP QDs arrayed waveguide LED (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi, K.Shimomura
  • 学会等名: 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Japan(TuC1-6)
  • 年月日: 2013-05-21
• [学会発表] Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yamauchi, Y. Iwane, S. Yoshikawa, Y. Yamamoto, K. Shimomura
  • 学会等名: 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Kobe, Japan(MoPI-5)
  • 年月日: 2013-05-20
• [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル (2013)
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 山内雅之, 下村和彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(29p-B4-9)
  • 年月日: 2013-03-29
• [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第73回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学(13a-PA8-4)
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 下村和彦
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学(C-4-26)
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] V/III ratio of Ga0.7In0.3As buffer layer dependence on InAs/InP QDs structure (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Iwane, T. Saegusa, K. Yoshida, M. Yamauchi, S.Yoshikawa, K. Shimomura
  • 学会等名: 16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Busan, Korea(WeP049)
  • 年月日: 2012-05-23
• [学会発表] 3層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(17p-GP12-5)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Broadband QDs array LED using selective MOVPE growth (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Shimomura
  • 学会等名: BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
  • 発表場所: Dalian, China
  • 年月日: 2011-10-23
  • 招待講演
• [学会発表] Random switching of wavelength demultiplexed light in variable arrayed waveguide (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, K. Shimomura
  • 学会等名: 16th OptoElectronics and Communications Conference
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan(7P3_097)
  • 年月日: 2011-07-07
• [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using triangular heater (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Yanagi, Y. Murakami, T. Aoyagi, Y. Yamazaki K. Shimomura
  • 学会等名: 16th OptoElectronics and Communications Conference
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan(7E2_3)
  • 年月日: 2011-07-07
• [学会発表] Strain control using GaxIn1-xAs second cap layer during double-cap procedure in InAs / InP QDs structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Hirooka, F. Kawashima, Y.Iwane, T.Saegusa, K. Shimomura
  • 学会等名: 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, K. Shimomura
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
• [学会発表] Strain control using GaxIn1-xAs second cap layer during double-cap procedure in InAs / InP QDs structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Hirooka, F. Kawashima, Y.Iwane, T.Saegusa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
• [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using triangular heater (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Yanagi, Y. Murakami, T. Aoyagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura
  • 学会等名: 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
• [学会発表] Random switching of wavelength demultiplexed light in variable arrayed waveguide (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura
  • 学会等名: 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
• [学会発表] Wavelength demultiplexing and carrier induced switching in variable index arrayed waveguides (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Aoyagi, T. Tanimura, S. Yanagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura
  • 学会等名: 16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
• [学会発表] Field-Assisted Self-Assembly of InAs Naonwires on Si substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: E. Takashima, H. Funayama, T. Waho, K. Shimomura, and W. Prost
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
  • 発表場所: Gifu, Japan
• [学会発表] Broadband QDs array LED using selective MOVPE growth (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Shimomura
  • 学会等名: BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T(招待講演)
  • 発表場所: Dalian, China
• [学会発表] Broadband and flat-topped spectrum of InAs/InP QDs arrayed waveguide LED
  • 著者名/発表者名: S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi, and K. Shimomura
  • 学会等名: 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE
  • 著者名/発表者名: M. Yamauchi, Y. Iwane, S. Yoshikawa, Y. Yamamoto, and K. Shimomura
  • 学会等名: 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
  • 学会等名: Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] MOVPE growth of InAs/InP QDs on directlybonded InP/Si substrate
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
  • 学会等名: 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] 3元，4元キャップ層によるInAs/InP量子ドットの長波長発光
  • 著者名/発表者名: 山元雄太, 山内雅之, 吉川翔平, 鋤柄俊樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] MOVPEによるGa間欠供給GaInAs量子ドットの発光特性
  • 著者名/発表者名: 山内雅之, 吉川翔平, 山元雄太, 下村和彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] InAs積層量子ドットLEDの注入電流に対する各層の発光特性の評価
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] InAs積層量子ドットLEDにおける各層のピーク波長制御による広帯域化
  • 著者名/発表者名: 鋤柄俊樹, 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] p-変調ドープInAs/InP量子ドット構造のEL特性
  • 著者名/発表者名: 山元 雄太, 山内 雅之, 吉川 翔平, 下村 和彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] 直接貼付InP/GaAs基板上GaInAsP系MOVPE成長
  • 著者名/発表者名: 金谷佳則, 松本恵一, 小冷亮太, 岸川純也, 下村和彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上InAs積層量子ドット構造
  • 著者名/発表者名: 岸川純也, 松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] 自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長温度依存性
  • 著者名/発表者名: 荻野雄大, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦, 和保孝夫
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] Si基板上直接貼付InP層の平坦性向上
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, 小冷亮太，岸川純也, 下村和彦,
  • 学会等名: 第61回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス
• [学会発表] GaInAsP系結晶再成長のための直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価
  • 著者名/発表者名: 金谷佳則, 松本恵一, Zhang Xinxin, 下村和彦,
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAs/InP MQW構造選択MOVPEにおけるPL波長シフト
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長
  • 著者名/発表者名: 松本 恵一, 張 きんきん, 金谷 佳則, 下村 和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館,東京
• [学会発表] GaInAsP system growth on InP/SiO2-Si and SiO2 templates fabricated by direct wafer bonding
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto , T. Makino , K. Kimura and K. Shimomura
  • 学会等名: 39th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
• [学会発表] Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100) by MOVPE
  • 著者名/発表者名: S. Murakami , A. Funayama , K. Shimomura and T. Waho
  • 学会等名: 39th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
• [学会発表] V/III ratio of Ga0.7In0.3As buffer layer dependence on InAs/InP QDs structure
  • 著者名/発表者名: Y.Iwane, T.Saegusa, K.Yoshida, M.Yamauchi, S.Yoshikawa, and K.Shimomura
  • 学会等名: 16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] GaInAs/InP MOVPE growth on directly bonded InP/Si substrate
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura
  • 学会等名: 16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] 直接貼付InP/glass 基板上におけるGaInAs/InP 層のMOVPE 結晶成長
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, Xinxin Zhang, 金谷佳則, 下村和彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] MOVPE による低テーパを目指したInAs ナノワイヤのVLS 成長
  • 著者名/発表者名: 山内雅之, 村上新, 松本恵一, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上へのGa0.2In0.8As量子ドット成長
  • 著者名/発表者名: Xinxin Zhang, 松本恵一, 金谷佳則, 山内雅之, 下村和彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] InAs 供給量増加によるInAs/InP ダブルキャップ量子ドットの長波長発光
  • 著者名/発表者名: 山元雄太, 岩根優人, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 山内雅之, 下村和彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第73回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] 直接貼付InP/SiO2-Si基板上におけるMOVPE結晶成長表面の面粗さ測定
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, 牧野辰則, 喜村勝矢, 下村和彦
  • 学会等名: 第73回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] ファーストキャップ層厚変化によるInAs/InPダブルキャップ量子ドットの長波長発光
  • 著者名/発表者名: 岩根優人, 三枝知充, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第73回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性
  • 著者名/発表者名: 村上新, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫
  • 学会等名: 第73回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性
  • 著者名/発表者名: 吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 下村和彦
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQWアレイ導波路型波長スイッチの動作特性と解析
  • 著者名/発表者名: 柳智史, 吉岡政洋, 下村和彦
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] 選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析
  • 著者名/発表者名: 山内雅之，三枝知充，岩根優人， 吉川翔平， 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館、東京
• [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの2ポート間スイッチング特性
  • 著者名/発表者名: 柳智史,青柳孝典,谷村昂,下村和彦
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] 選択成長3層InAs量子ドットアレイLEDのPLスペクトルの解析
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] ヒーター長変化によるGaInAs/InP MQW波長光スイッチのスイッチング特性
  • 著者名/発表者名: 山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長
  • 著者名/発表者名: 村上 新，船山 裕晃，下村 和彦，和保 孝夫
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] 3層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析
  • 著者名/発表者名: 三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] GaInAs/InP MQW選択成長アレイ導波路のキャリア注入時の屈折率変化量
  • 著者名/発表者名: 青柳 孝典，吉岡 政洋，柳 智史, 下村和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上におけるGaInAs/InP系MOVPE結晶成長
  • 著者名/発表者名: 松本恵一，牧野辰則，喜村勝矢, 下村和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] Ga0.9In0.1Asバッファ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性
  • 著者名/発表者名: 岩根優人, 三枝知充, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの電極構造改善
  • 著者名/発表者名: 柳 智史，青柳 孝典，谷村 昂，下村 和彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [図書] 「量子ドットエレクトロニクスの最前線」第2章第5節分担 (2011)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 出版者: 株式会社エヌ・ティー・エス
• [備考] ホームページ
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [備考] 上智大学下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [備考] 上智大学下村研究室
  • URL: http://pic.ee.sophia.ac.jp