| 研究課題/領域番号 |
23560422
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
前元 利彦 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (80280072)
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| 研究分担者 |
佐々 誠彦 大阪工業大学, 工学部, 教授 (50278561)
井上 正崇 大阪工業大学, 工学部, 教授 (20029325)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 化合物半導体 / MOSFET / 半導体ヘテロ構造 / トランジスタ / インジウムヒ素 / 高誘電率ゲート / 高速・低消費電力素子 / InAs / ヘテロ接合トランジスタ / III-V MOSFET / High-kゲート / セルフスイッチングダイオード / 高速・低消費電力 / InAsヘテロ構造 / High-kゲート絶縁膜 |
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| 研究概要 |
本研究ではチャネル材料にInAsを用いたIII-V族MOSFETを作製しその諸特性を評価した．MOSFETの特性を向上させるために，オーミックコンタクトや高誘電率材料High-k/GaSb界面に着目して研究を行った．オーミックコンタクトでは，形成する電極の材料，膜厚の検討を行い，更に熱処理の温度条件を求めることで，低抵抗なコンタクト抵抗を実現した．High-k/GaSb界面については，溶液処理を用いることでGaSb表面の自然酸化膜を除去し界面準位密度を低減した．また，バンドギャップの大きな酸化ガリウムを挿入することでMOS界面の欠陥の発生を抑制し，MOSFETの特性が改善されることを見出した．
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