研究課題/領域番号 |
23560424
|
研究種目 |
基盤研究(C)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
研究機関 | 福岡工業大学 |
研究代表者 |
山内 寛行 福岡工業大学, 情報工学部, 教授 (70425239)
|
研究期間 (年度) |
2011 – 2013
|
研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
キーワード | SRAM / SRAMマージン解析 / 時空間ランダムばらつき / ランダムテレグラフノイズ / ランダムドーパントフラクチュエーション / マージンアシスト回路 / コンボリューション / デコンボリューション / RTN / 畳み込み / 逆畳み込み / RDF / 時空間ばらつき / RTN / ランダムばらつき / SRAM / Vddのスケーリング / σVtの自己収束 / σVtを擬似的に検出 / インポータンスサンプリング / VLSI設計手法 |
研究概要 |
本研究は、製造後時間軸上でランダムに変調する閾値電圧Vtの動的なばらつき量σVtを擬似的に検出する手法。再び収束させる事を前提にしたVLSI設計手法を考案することであり、以下の研究を進めた。(1)時間軸上でランダムに変調するVtの動的なばらつき量σVtを擬似的に検出する。再び収束させる手段の実現可能性の検討。(2)実現可能性を検証するためのシミュレーション用のモデリング。(3)実効的なσVt_limit値向上のためのマージンアシストオフセット電圧制御電極値の決定。成果の意義は、RTNによるVtの変調幅が従来のRDFによる変調幅に比較して同等か大きくなった場合の影響を定量的に示した。
|