研究課題/領域番号 |
23560429
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 秋田県産業技術センター |
研究代表者 |
山根 治起 秋田県産業技術センター, その他部局等, 研究員 (80370237)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | 光デバイス・光回路 / 空間光変調素子 / 磁気光学効果 / フォトニック結晶 / 反強磁性結合 / 垂直磁化膜 / キャビティ効果 / 先端機能デバイス / 光変調素子 / 磁性フォトニック結晶 / CoPt / 微細加工 / CoPt |
研究概要 |
本研究課題では、高性能空間光変調素子の実現に必要な基盤技術の確立を目的として、短波長磁気光学材料、および、多次元の磁性フォトニック結晶に関する検討を実施した。遷移-貴金属系磁性薄膜の研究では、[CoPt/ZnO/Ag]積層膜が、大きな磁気光学特性と良好な垂直磁気特性の両立が可能であることを見出した。さらに、反強磁性結合を有する垂直磁化膜への2次元周期のナノ構造の付与と、光干渉用の誘電体層とを組み合わせることで、3次元的な磁性フォトニック結晶を作製した。本積層ナノ構造体における磁気光学性能の向上が、磁気光学効果の非相反性と、光干渉層部でのキャビティ効果によって説明可能であることを明らかとした。
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