研究課題
基盤研究(C)
高周波電界中に半導体を設置して散乱体とし,そのバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーを持つ光を照射すると散乱効率を変化させることができる.この特性を利用して散乱波に振幅変調を与え,遠方で受信した散乱波強度に基づいて電界強度を測定する電界センサを提案した.アンドープゲルマニウム基板を散乱体に用いて性能を評価した結果,従来の誘電体散乱電界センサの利点を保ったまま,10倍以上高速な時間応答性を得た.また,マイクロ波帯において金属エレメントを付加した光電界センサと同等の感度を達成した.これに加え,電界の方向,振幅,位相が計測可能なこと,及び,感度と空間分解能を連続的に変化可能なことを示した.
すべて 2014 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (12件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)
電子情報通信学会誌B
巻: Vol. J97-B, No.3 ページ: 279-285
電子情報通信学会論文誌B
巻: J97-B ページ: 279-285
2012 Proceedings of SICE Annual Conference
巻: Vol. 12PR0001 ページ: 412-415
巻: Vol. 12PR0001 ページ: 407-411
巻: 12PR0001 ページ: 407-411
巻: 12PR0001 ページ: 412-415