| 研究課題/領域番号 |
23560497
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
島影 尚 茨城大学, 工学部, 教授 (80359091)
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| 研究分担者 |
齊藤 敦 山形大学, 理工学研究科, 准教授 (70313567)
武田 正典 静岡大学, 創造科学技術大学院, 講師 (80470061)
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| 連携研究者 |
川上 彰 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 主任研究員 (90359092)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 高温超伝導 / KID / 超伝導デバイス / 超伝導 / 高温超伝導薄膜 / MOD法 / レーザーアブレーション法 |
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| 研究概要 |
カイネティックインダクタンス検出器（KID）を高温超伝導体を用いて実現するための基礎的検討を行った。KID素子の作製を目標に、高周波で低損失性を持つサファイア基板上へ、Bi-2212の高温超伝導膜の成膜をPLD法とMOD法を用いて行った。Bi-2212薄膜成膜にはCeOバッファ層が有効であることがわかった。臨界温度は65Kを示し、その薄膜の臨界電流密度、高周波表面抵抗評価を行った。実際のKID素子作製に向けて、カイネティックインダクタンスのシミュレーション評価を行った。また、補助的検討としてNbNのパラメータを用いた最適なKID作製の検討を行い、実際にNbNのKID素子の光応答を確認した。
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