研究課題
基盤研究(C)
シリコン系熱電材料について冶金学的手法により微細構造を導入し，その特性を評価した． 過飽和固溶体CoSi相の時効処理によりCo2Si相を析出させた材料で，ゼーベック係数がCoSi単相に比べ増加した．CoSi/Co2Si界面がゼーベック係数向上に寄与していると考えられる．Mg2Si-Si共晶組織において熱伝導率が低減することを見いだした．また，Mg2Si/Si界面の歪みがゼーベック係数に影響を与える可能性が示唆された．共析反応によりSi相が微細に析出したb-FeSi2を得た．熱電特性はb-FeSi2単相と同程度であったが，従来（100時間）に比べ短時間（4時間）でβ-FeSi2相が得られた．
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