| 研究課題/領域番号 |
23560795
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
加藤 丈晴 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 研究員 (90399600)
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| 研究分担者 |
吉田 竜視 一般財団法人ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 技師補 (50595725)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | ショットキー障壁 / 電位分布 / 金属/半導体界面 / 電子線ホログラフィー / ピエゾ駆動電圧印加ホルダー / 電圧印加 / FIB |
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| 研究概要 |
金属/半導体界面を有するTEM観察用薄片サンプルについて、極めて均一かつ、ダメージレスな観察サンプルを仕上げる技術を確立した。この技術により作製された金属/半導体界面を有するサンプルに、ピエゾ駆動で電圧印加可能なホルダーを用い、順バイアスおよび逆バイアスを印加し、金属/半導体界面の電流－電圧測定と電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。
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