| 研究課題/領域番号 |
23560848
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 岡山理科大学 |
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研究代表者 |
森 嘉久 岡山理科大学, 理学部, 教授 (00258211)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 熱電材料 / 高圧合成 / 放射光 / シリサイド / 放射光実験 / 高圧X線回折 / 熱電素子 / シリサイド半導体 / シリサイド系半導体 |
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| 研究概要 |
排熱エネルギーを電気エネルギーに変換できる熱電変換材料が活発に研究されている．特に注目されているMg2Siに対し，高圧合成による新しい機能性の探索研究を行った．実験内容は，放射光施設での高圧XRD実験，ピストンシリンダー装置での高圧合成と合成物の熱電性能測定である．特に高圧合成では試料のサイズが小さいので，測定装置の開発が不可欠である．
高圧XRD実験からAgをドープする場合は原料粉末のMgとSiと同時に仕込み，Mgの融点以下の温度で合成したほうが良いことが明らかとなった．熱電性能測定装置の開発にも成功し，その測定結果から，高圧合成によりn型Mg2Siがより真性の方向に進むことが明らかとなった．
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