| 研究課題/領域番号 |
23560875
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
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研究代表者 |
八重 真治 兵庫県立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00239716)
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| 研究分担者 |
松田 均 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 教授 (60118015)
福室 直樹 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 助教 (10347528)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | めっきプロセス / 密着性 / 触媒活性 / ナノ粒子 / 配線 / 金-シリコン合金 / 拡散 / 無電解めっき / 金－シリコン合金 / コンタクト抵抗 / 無電解ニッケルめっき |
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| 研究概要 |
難めっき材であるシリコン上に直接に高密着な無電解めっき膜を形成する方法を開発した。その特徴は、無電解置換析出させた金ナノ粒子を触媒とすることである。無電解めっき膜の密着性がナノ粒子形成条件に依存すること、密着性は長期にわたって安定であること、シリコン－金界面に合金相が形成されること、めっき膜の剥離によって金ナノ粒子が破断していることを見いだした。さらに、フォトレジストを用いてウェーハ全面にマイクロメートルオーダーの配線パターンを形成することに成功し、実用に耐えるコンタクト抵抗であることを明らかにすることができた。共同研究者らによって実用化の検討が進められている。
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