| 研究課題/領域番号 |
23651087
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
坂口 紀史 北海道大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (70344489)
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| 研究期間 (年度) |
2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 表面 / 界面ナノ構造 / 量子構造 / ウェハ直接接合 / イオン注入 / らせん転位網 / ナノ粒子規則配列 |
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| 研究概要 |
シリコンウェハへの金属イオン注入とその後のウェハ直接接合・アニールにより、接合ウェハ界面にシリサイド量子ドットを規則的に配列させることを試みた。ウェハ直接接合により形成されるらせん転位網の節が析出物の優先核形成サイトになりうることが明らかとなり、シリコン酸化物量子ドットの規則配列に成功した。一方、シリサイド量子ドット形成のためには、ウェハ表面の損傷を低減した金属イオン注入技術が必要であることが示唆される。
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