研究課題/領域番号 |
23651144
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
角田 匡清 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80250702)
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研究協力者 |
高橋 宏和 東北大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程
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研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | 磁性 / 磁気抵抗効果 / スピントロニクス / 交換磁気異方性 / スピンバルブ |
研究概要 |
原子層程度の極薄膜厚内で急峻な磁気モーメントの方向変化が生じる積層膜材料系を開発すべく、超高真空スパッタリング法を用いて、Co基強磁性材料とRuスペーサーからなる垂直電流通電(CPP)型磁気抵抗薄膜素子を作製し、その伝導特性について調査した。また、Mn-Ir/強磁性積層膜の界面非補償スピンの強磁性層材料依存性を調査し、積層界面の交換相互作用と強磁性層の結晶構造が大きな交換磁気異方性の誘導に重要であることを明らかとした。
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