| 研究課題/領域番号 |
23656010
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
石谷 善博 千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 赤外光 / THz / 量子干渉 / LOフォノン / 界面分極 / フォノン / 半導体 / テラヘルツ波 / フォノンポラリトン / 界面モード / 半導体薄膜 / テラヘルツ / 電気双極子モーメント / 窒化物半導体 / ＬＯフォノン / プラズモン |
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| 研究概要 |
本研究は、周波数30THz以下のテラヘルツ光源についてフォノンを用いたデバイス原理・構造の提案を目的とした。研究の結果，膜厚半波長以下のGaNおよびAlN薄膜において，ヘテロ界面での分極電荷によるｐ偏光の電気双極子吸収が確認された。ストライプ型段差構造ではｓ偏光において効果が確認された。同一振動面に二つのフォノンモードを持つp-GaInPにおけるラマン散乱スペクトルを解析し，価電子帯間の電子遷移による連続準位とLOフォノン2準位との間にファノ効果と同様の量子干渉の成立が確認され，LOフォノン系電磁誘起透明化を用いた光密度閾値のないTHｚコヒーレント光発生が原理的に可能であることが分かった。
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