| 研究課題/領域番号 |
23656015
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
天野 浩 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)
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| 研究分担者 |
山口 雅史 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20273261)
本田 善央 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60362274)
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
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| キーワード | PAMBE / InGaN / 窒素ラジカル / LED / 太陽電池 / PA MBE / 超格子 / ナノワイヤ / 内部量子効率 |
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| 研究概要 |
プラズマ援用分子線エピタキシー法を用いて、高発光効率高In組成InGaNの成長を試みた。その結果、超格子構造の形成により、結晶欠陥の少ない高In組成InGaN成長が可能であること、及びInGaNナノワイヤの発光効率は積層欠陥密度と強い依存性があり、より高温、高Inフラックス比での成長が高発光効率InGaNナノワイヤ実現に必要であることが明らかとなった。
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