| 研究課題/領域番号 |
23656022
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
坂間 弘 上智大学, 理工学部, 教授 (10242017)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 強磁性強誘電体 / エピタキシャル / 磁気材料 / 誘電体材料 / 超格子 / 原子層堆積法 / 人工超格子 / マルチフェロイックス / 強誘電体 / 強磁性体 |
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| 研究概要 |
ペロフスカイト遷移金属酸化物BiFeO3の薄膜によって、環境に有害な鉛を含まない強誘電体を開発することを目的として研究を行った。特に、本研究ではALD法を製膜方法として選び、BiFeO3の層状成長を目指した。ALD法では、低温での成長が可能であるといった点が強みになる。
最初は、金属原子を１種類だけ含むBiとFeの酸化物の薄膜を作製した。BiとFeの原料としては、低温で分解しやすいBi(Ph)3、Fe(Cp)2を試した結果、基板温度250～350℃において、BiとFeの酸化物の薄膜の層状成長に成功した。そして、これらの原料を組み合せることによって目的のBiFeO3薄膜の層状成長に成功した。
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