| 研究課題/領域番号 |
23656025
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
永沼 博 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60434023)
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| 連携研究者 |
宮崎 孝道 東北大学, 工学部, 技術職員
遠藤 恭 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (50335379)
岡村 総一郎 東京理科大学, 理学部応用物理学科, 教授 (60224060)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | マルチフェロイクス / 電気磁気効果 / ME 効果 / BiFeO_3 / 低消費電力 / BiFeO3 / 電界効果 / 磁化反転 / 低電圧 / CoFe2O4 / 電界制御 |
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| 研究概要 |
BiFeO_3/CoFe_2O_4二層膜をもちいてBiFeO_3に電界を印加することにより室温でCoFe_2O_4の磁区を反転させることに成功しており、研究達成度は100%である。さらに、電圧を膜厚方向へ印加できる縦型構造とすることにより、従来の横型構造に比べて電圧を1/20にまで低減させることに成功した。また、150nmの磁区を反転させることに成功しており超高密度の不揮発性メモリが期待できることが明らかとなった。このように当初の計画を大幅に超える成果を得ることに成功した。
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