| 研究課題/領域番号 |
23656028
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
松本 祐司 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (60302981)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 薄膜 / 金属ガラスSiC / SiC / フラックス成長 / 金属ガラス / エピタキシー |
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| 研究概要 |
本研究では、金属ガラスフラックス(融液)探索のためのレーザー加熱型の真空レーザー顕微鏡の開発を行い、SEMのその場観察の結果と併せて、金属ガラスのSiC単結晶上での溶解と偏析過程を明らかにした。また、Si-Niフラックスを用いて、フラックス成長を試みたところ、結晶グレインサイズの大幅な拡大と表面平坦化が達成され、高品質化を目的としたSiC薄膜成長におけるフラックス気相成長法の有効性が実証された。
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