| 研究課題/領域番号 |
23656036
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
間瀬 一彦 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授 (40241244)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | オージェ電子分光 / 光電子分光 / コインシデンス分光 / 表面分析 / 原子間オージェ |
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| 研究概要 |
光電子と原子間オージェ電子、原子間オージェ電子と光イオンの同時測定を行なうことにより特定の表面原子に結合する原子を特定し、結合状態を分析する手法を開発するために、高感度電子-電子-イオンコインシデンス分光装置を製作した。コインシデンスシグナル係数率を従来の分析器より改善することができものの、原子間オージェは観測できなかった。本装置を用いて Si(111)表面の Si 2s 内殻緩和過程の研究を行なった。
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