研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究の不揮発光メモリは、電子スピン緩和時間が長いGaAs(110)基板上面発光レーザを用いるが、情報の読出動作に、スピン偏極電流注入による円偏光発振が必要である。まず、常磁性電極を用いたスピン非偏極電流注入によるレーザ発振に取り組んだが、デバイス構造の改善が必要であることが分かった。しきい値を下げるための酸化狭窄構造、および結晶性の低下する上側分布ブラッグ反射鏡を通さない電流注入構造を検討し、これらの作製プロセスを確立した。
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