| 研究課題/領域番号 |
23656083
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 鹿児島大学 (2012-2013)
京都大学 (2011) |
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研究代表者 |
池田 徹 鹿児島大学, 理工学研究科, 教授 (40243894)
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| 連携研究者 |
小金丸 正明 福岡県産業, 科学技術振興財団 (20416506)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 材料設計 / プロセス / 物性 / 評価 / ひずみ効果 / 半導体 / 応力 / トランジスタ / 電気特性変動 / nMOSFET / pMOSFET / シリコン / 電子移動度 / デバイスシミュレーション / 移動度 |
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| 研究概要 |
応力を受けるSiの電気特性変動について，バルクシリコンの移動度特性はよく表されているものの，nMOSFETについては実験結果から得られる移動度変化との乖離が残った. この応力によるnMOSFETの移動度の変化についての理論値と実験値の乖離について，真性キャリア濃度の変化と電子がnMOSFETのチャネル化の非常に薄い層に偏在することによる，二次元量子化の影響について検討を行った． その結果，ひずみによる真性キャリア濃度変化の電気特性変動に対する寄与は比較的小さいことが分かった．また，反転層における 表面量子化の考慮も十分に現象を表現するには至らなかった．
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