研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究では,シリコンのプラズマCVD薄膜生成における初期クラスター形成過程を分子動力学法により解析し,基板上でクラスターがエピタキシャル成長および粒成長する条件を見出した.また多数のクラスター堆積過程の計算を行い,小さなクラスターの連続堆積により,エピタキシャル成長が可能であることを示した.さらに,水素原子がエピタキシャル成長に与える影響を検討した.水素がないSiクラスターと比べ,SiHクラスターは,より低温の基板でも変形/自己組織化することを見出した.
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