| 研究課題/領域番号 |
23656208
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
石川 靖彦 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60303541)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 結晶成長 / エピタキシャル / 格子欠陥 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / ゲルマニウム / シリコン / シリコンフォトニクス / MBE、エピタキシャル |
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| 研究概要 |
パターン化したSiN_x膜を応力源としてSi基板表面へ引っ張り格子ひずみを導入し、Geとの格子不整合を減少させることで、Ge層中の転位密度を低減する方法を検討した。応力源となるSiNx膜上にSiO_2膜を形成した二層マスクを用いることで、Si露出部分のみへのGe選択成長を実現した。Ge層の貫通転位密度は、従来のSiO_2マスクの場合と顕著な違いはなく、1^09cm^-2となった。今回の実験の範囲では貫通転位密度を低減することはできなかったが、SiO_2/SiN_x二層マスクによるGe選択成長の実現など新たな知見が得られた。
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