| 研究課題/領域番号 |
23656210
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
須田 良幸 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10226582)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 作成 / 評価技術 / Ge / 仮想基板 / エピタキシー / SK成長 / ゲルマニウム / サファクタント / ヘテロ成長 / Ｇｅ成長 / 歪 / 平坦化 / 緩和 / 表面泳動 / 島状成長 / 90度転位 |
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| 研究概要 |
代表者の開発したスパッタエピタキシー法を用いて提案した高濃度Pドープ基板上へのGe直接平坦化成長する方法について系統的に解析し,Si/Ge界面に90°転位が発生し,僅かな歪を残して平坦成長する機構を解明した.この転位はスパッタ法でのGeの短い表面泳動長とドープP原子に起因して発生すると考えられる.Bドープ基板でも同様の現象が見られ,本手法を用いたGe仮想基板の作製への応用展開が期待される.
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