研究課題/領域番号 |
23656215
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 大阪電気通信大学 (2013) 京都大学 (2011-2012) |
研究代表者 |
中村 敏浩 大阪電気通信大学, 工学部, 准教授 (90293886)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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キーワード | メモリスター / 抵抗スイッチング / ReRAM / マンガン酸化物 / ペロブスカイト / 電気化学インピーダンス法 / 分光エリプソメトリー / プラズマ還元 / 酸化物エレクトロニクス / 交流インピーダンス法 / 薄膜 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 磁性 |
研究概要 |
ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜を用いたメモリスター素子において、そのバイポーラー抵抗スイッチングのメカニズムを解明することを目的として研究を進めた。その結果、電気化学インピーダンス法により、薄膜中へのキャリアドープ量が電極界面の抵抗成分の変化に大きな影響を与えていることが分かった。また、分光エリプソメトリー法により、薄膜の誘電関数と素子の抵抗スイッチング特性との間の相関関係を見出した。さらに、薄膜表面にプラズマ還元処理を施すことにより、抵抗スイッチングに必要な電圧値を低減できるという有用な結果が得られた。
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