| 研究課題/領域番号 |
23656217
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
森田 瑞穂 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | シリコン / シリコン酸化膜 / 発光デバイス / 量子井戸 / トンネル現象 |
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| 研究概要 |
極めて薄いシリコン層を有する金属‐酸化物‐半導体トンネルデバイスから、バルクシリコンのバンドギャップより高いエネルギーのエレクトロルミネッセンスピークを観測した。ピークは、サブバンドを介した遷移とトラップを介した遷移に因ることを示している。シリコン層厚さが薄くなると、外部量子効率が高くなることを見いだした。極めて薄いシリコン層は、準直接バンドギャップをもつことを示唆している。
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