| 研究課題/領域番号 |
23656220
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
藤原 康文 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10181421)
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| 研究分担者 |
寺井 慶和 鹿児島大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (90360049)
西川 敦 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60417095)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 希土類添加半導体 / テラヘルツ波 |
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| 研究概要 |
本研究では、我々により超高速(サブピコ秒)のキャリア緩和を示すことが見いだされたEr,O共添加GaAs (GaAs:Er,O)を新しいテラヘルツ波発生/検出用材料として位置づけ、そのデバイス応用可能性を明らかにすることを目的とした。GaAs:Er,Oを用いたテラヘルツ波発生素子を作製し、フェムト秒レーザの照射を行ったところ、テラヘルツ波の発生が観測された。そのテラヘルツ波強度は照射パワーとともに増大するものの、飽和傾向を示した。また、多層構造素子において、ヘラヘルツ発生性能を評価した結果、テラヘルツ波放射強度の増大を観測した。一方、試作されたGaAs:Er,Oテラヘルツ波検出素子の性能を評価し、テラヘルツ波の検出に世界で初めて成功した。
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