| 研究課題/領域番号 |
23656232
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 宇都宮大学 |
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研究代表者 |
入江 晃亘 宇都宮大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90241843)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 超伝導材料・素子 / スピンエレクトロニクス / 先端機能デバイス / 二次元層状構造 / スピントロニクス / 高温超伝導体 / 磁気抵抗 / 低温物性 |
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| 研究概要 |
超伝導と磁性を融合した従来にないスピン機能デバイスの開拓を目指し,層状酸化物高温超伝導体に内在する二次元超伝導層におけるスピンに依存した量子輸送現象について研究した.ビスマス系高温超伝導体ウィスカー結晶を用いて作製した試料に対し層に平行な磁場を印加した場合,臨界電流並びに定電流バイアスしたときの試料電圧の磁場依存性がヒステリシスを示すことを見出した.この結果は,同構造を用いることにより液体窒素温度以上で動作可能な新規なスピンデバイス開発の可能性を示すものである.
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