| 研究課題/領域番号 |
23656381
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
谷山 智康 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (10302960)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 電子 / 磁気物性 / スピントロニクス / スピンエレクトロニクス / 磁性 / 先端機能デバイス |
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| 研究概要 |
本研究では、パルスレーザーを磁性体に照射することで励起される電子のスピン緩和過程を計測することで、強磁性体のスピン偏極率を定量化することを目的としている。まず、スピン偏極率が異なると考えられる種々の強磁性金属薄膜試料を作製した。次に、半導体量子井戸耕造を用いてポンプ-プローブ法によりスピン緩和を測定する手法を確立し、本手法を強磁性金属薄膜に適用した。その結果、強磁性金属薄膜のスピン緩和過程が観測された。
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