| 研究課題/領域番号 |
23656402
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
小俣 孝久 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80267640)
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| 連携研究者 |
大橋 直樹 (独)物質・材料研究機構, 光材料センター, センター長 (60251617)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 光物性 / ナノ材料 / 先端機能デバイス |
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| 研究概要 |
ZnO とβ-AgGaO2の混合粉末をターゲットとして、rf-マグネトロンスパッタ法により、ウルツ鉱型 ZnO とウルツ鉱型の派生構造であるβ-NaFeO2型β-AgGaO2との混晶薄膜(1-x)ZnO -x(AgGaO2)1/2を作製した。0<x<0.33 の範囲でウルツ鉱型の単相薄膜が生成することが明らかとされた。0.67ZnO-0.33(AgGaO2)1/2組成で、そのバンドギャップは2.55eV(波長 485nm)であり、ZnO のバンドギャップを青色の領域まで小さくすることに成功した。
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