| 研究概要 |
本研究ではAl-Gaフラックスからの単結晶窒化アルミニウム(以下「AlN」)成長プロセスの高温その場観察を行った.結晶品位の低下を引き起こす転位の形成は,成長開始直後における基板上でのAlN核形成過程に依存することが分かった.サファイア基板上では不均質核形成によりランダムな結晶方位関係を持つAlNが形成され,それぞれが接合成長によって成長している.この結果,高転位密度の低品質のAlNが作製される.一方,窒化基板上ではAlNのepitaxial成長が卓越し,ランダムな結晶方位関係を引き起こす不均質核形成は抑制される.また,AlN形成直後には接合成長も抑制されることが分かった.この結果窒化基板上では低転位密度の高品位のAlNが作製できるということが分かった.
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