研究課題
若手研究(A)
単一の自己組織化量子ドットを用いた単一電子トランジスタ、単一光子発生器などの量子情報処理デバイスは、1つの電子や光子に情報機能を持たせるため、超低消費電力エレクトロニクスの有望な技術と言われている。本研究では、(1)10 nm級InAs(インジウム砒素)量子ドットの位置・形状制御を実現することによって、単一量子ドット機能デバイス作製の歩留まりの飛躍的な改善を達成した。更に、(2)精密に制御された自己組織化InAs量子ドット構造の単一電子・スピン状態の解明を行った上で、(3)それらの物性を応用した超伝導トランジスタや、単一スピン操作素子、THz光エレクトロニクス素子などの例証実験を行った。
すべて 2014 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (16件) (うち査読あり 16件) 学会発表 (35件) (うち招待講演 3件) 備考 (5件)
Appl. Phys. Express
巻: vol. 7 号: 4 ページ: 45001-45001
10.7567/apex.7.045001
210000137061
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
巻: vol. 35(Invited paper) 号: 1 ページ: 101-109
10.1007/s10762-013-0039-7
Nature Communications
巻: vol. 4 号: 1 ページ: 2664-2664
10.1038/ncomms3664
PHYSICAL REVIEW B
巻: 87 号: 16 ページ: 1613021-5
10.1103/physrevb.87.161302
Appl. Phys. Lett.
巻: vol. 110 号: 22 ページ: 223115-223115
10.1063/1.4769039
Physical Review Letters
巻: 109 号: 7 ページ: 77401-77401
10.1103/physrevlett.109.077401
巻: vol. 5 号: 8 ページ: 85501-85501
10.1143/apex.5.085501
40019394986
Applied Physics Letters
巻: 100 号: 20 ページ: 202-109
10.1063/1.4719072
AIP conference proceeding series
巻: vol. 1399 ページ: 273-273
10.1063/1.3666359
巻: vol. 1399 ページ: 239-239
10.1063/1.3666343
AIP Conference Proceedings
巻: 1399 ページ: 383-384
10.1063/1.3666414
AIP Conf. Proc.
巻: 1399 ページ: 355-356
10.1063/1.3666400
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: vol. 50 号: 12R ページ: 120205-120205
10.1143/jjap.50.120205
40019140663
巻: 99 号: 18 ページ: 182104-182104
10.1063/1.3659479
Nature Nanotechnology
巻: 6 号: 8 ページ: 511-516
10.1038/nnano.2011.103
Physical Review B Rapid Communication
巻: 84 号: 4 ページ: 0413021-5
10.1103/physrevb.84.041302
http://thz.iis.u-tokyo.ac.jp/
http://thz.iis.u-tokyo.ac.jp/shibata/public_html/profile-j.htm