希釈窒化物半導体光源を用いた誘電体ロッド型フォトニック結晶レーザの創出

• 研究課題/領域番号: 23686004
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 愛媛大学 (2013); 大阪大学 (2011-2012)
• 研究代表者: 石川 史太郎 愛媛大学, 理工学研究科, 准教授 (60456994)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 26,650千円 (直接経費: 20,500千円、間接経費: 6,150千円); 2013年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円); 2012年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円); 2011年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
• キーワード: 分子線エピタキシー / フォトニック結晶 / ナノワイヤ / 化合物半導体 / 希釈窒化物半導体 / デルタドーピング / 結晶成長

研究概要

希釈窒化物半導体ナノ構造を用いた、新しい誘電体ロッド型フォトニック結晶レーザー実現の可能性について、分子線エピタキシー成長とフォトニック結晶展開を軸に検討した。
GaAsNナノワイヤの成長では、コアーシェル型ナノワイヤの成長に成功した。さらに、窒素導入量の制御から、発光波長を950nmの赤外域まで長波長化できた。一方、伸張歪型のGaInNAsを活性層とし、試料表面にフォトニック結晶を配置させたレーザテスト試料を作製したところ、フォトニックバンド端で未加工時のおよそ１０倍となる発光強度の増強を観測し、同材料のレーザー応用への有効性を示すことができた。

研究成果

• [雑誌論文] Studying the formation of nitrogen d-doped layers on GaAs(001) using reflection high-energy electron diffraction (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Nishimoto, M. Kondow, and F. Ishikawa
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B 巻: Vol. 32
  • 査読あり
• [雑誌論文] Studying the formation of nitrogen d-doped layers on GaAs(001) using reflection high-energy electron diffraction (2014)
  • 著者名/発表者名: Norihisa Nishimoto, Masahiko Kondow, and Fumitaro Ishikawa
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science and Technology B 巻: 32 号: 2
  • DOI: 10.1116/1.4868522
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of dilute nitride GaAsN/GaAs heterostructure nanowires on Si substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Araki, M. Yamaguchi, F. Ishikawa
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: Vol. 24
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation of minibands on superlattice structure with periodically arrangedδ-doped nitrogen into GaAs (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Sumiya, M. Morifuji, Y. Oshima, and F. Ishikawa
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: Vol. 6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of small microfabrication damage on optical characteristics of laser structure with GaInNAs quantum well (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Goto, F. Ishikawa, M. Morifuji, and M. Kondow
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol. 52
  • NAID: 40022765841
  • 査読あり
• [雑誌論文] Over 1.5m Deep Dry Etching of Al-Rich AlGaAs for Photonic Crystal Fabrication (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Kitabayashi, M. Mochizuki, F. Ishikawa, and M. Kondow
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol. 52
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Small Microfabrication Damage on Optical Characteristics of Laser Structure with GaInNAs Quantum Well (2013)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Goto, Fumitaro Ishikawa, Masato Morifuji, and Masahiko Kondow
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 10R ページ: 105502-105502
  • DOI: 10.7567/jjap.52.105502
  • NAID: 40022765841
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of dilute nitride GaAsN/GaAs heterostructure nanowires on Si substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Araki, M. Yamaguchi, and Fumitaro Ishikawa
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 24 号: 6 ページ: 065601-065601
  • DOI: 10.1088/0957-4484/24/6/065601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Over 1.5 µm Deep Dry Etching of Al-Rich AlGaAs for Photonic Crystal Fabrication (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Kitabayashi, M. Mochizuki, F. Ishikawa, and Ma. Kondow
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 4S ページ: 04CG07-04CG07
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04cg07
  • NAID: 210000142064
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of the oxide film obtained by wet oxidation of Al-rich AlGaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Hirai, T. Yamada, M. Kondow, F. Ishikawa
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol. 51
  • NAID: 210000140250
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nitrogen delta-doping for band engineering of GaAs-related quantum structures (2012)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, S. Furuse, K. Sumiya, A. Kinoshita, and M. Morifuji
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: Vol. 111
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth and characterization of nitrogen delta-doped AlGaAs/GaAs quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Furuse, K. Sumiya, M. Morifuji, F. Ishikawa
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B 巻: Vol. 30
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced composition limitation in nitrogenδ-doped (In,Ga)As/GaAs quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Gargallo Caballero, E. Luna, F. Ishikawa, A. Trampert
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: Vol. 100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Coherent growth of GaGdN layers with high Gd concentration on GaN(0001) (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Higashi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 101 号: 22
  • DOI: 10.1063/1.4767992
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced composition limitation in nitrogen δ-doped (In,Ga)As/GaAs quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Gargallo-Caballero, E. Luna, F. Ishikawa, and A. Trampert
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 100 号: 17
  • DOI: 10.1063/1.4705731
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth and characterization of nitrogen delta-doped AlGaAs/GaAs quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Furuse, K. Sumiya, M. Morifuji, and F. Ishikawa
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B 巻: 30 号: 2
  • DOI: 10.1116/1.3678204
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Plasma Processes on the Characteristics of Optical Device Structures Based on GaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: Akio Watanabe, Fumitaro Ishikawa, and Masahiko Kondow
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 5R ページ: 056501-056501
  • DOI: 10.1143/jjap.51.056501
  • NAID: 40019280636
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of the Oxide Film Obtained by Wet Oxidation of Al-Rich AlGaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: Yuichiro Hirai, Takahiro Yamada, Masahiko Kondow, and Fumitaro Ishikawa
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 2S ページ: 02BG10-02BG10
  • DOI: 10.1143/jjap.51.02bg10
  • NAID: 210000140250
  • 査読あり
• [雑誌論文] Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, M. Morifuji, K. Nagahara, Uchiyama, K. Higashi, M. Kondow
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol. 323 ページ: 30-34
  • 査読あり
• [雑誌論文] Introduction of GaInNAs Gain Medium into Circularly Arranged Photonic Crystal Cavity (2011)
  • 著者名/発表者名: Kentaro Kukita, Hiroshi Nagatomo, Hiroaki Goto, Ryo Nakao, Katsunari Nakano, Masaya Mochizuki, Masahiko Kondow, Masato Morifuji, and Fumitaro Ishikawa
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 10R ページ: 102202-102202
  • DOI: 10.1143/jjap.50.102202
  • NAID: 40019043737
  • 査読あり
• [学会発表] Low-dimensional dilute nitride semiconductor heterostructures with delta-doping and nanowires (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa
  • 学会等名: Collaborative Conference on Materials Research (CCMR 2013)
  • 発表場所: Jeju, South Korea
  • 招待講演
• [学会発表] 希釈窒化物半導体ナノワイヤのフォトニック結晶レーザー展開 (2013)
  • 著者名/発表者名: 石川史太郎
  • 学会等名: 第33回レーザー学会年次大会
  • 発表場所: 姫路
  • 招待講演
• [学会発表] Formation of III-V semiconductor/oxide heterostructure nanowires on Si and their extention to buried entire structure (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Hibi, N. Ahn, M. Kondow, M. Yamaguchi, F. Ishikawa
  • 学会等名: 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Investigations on the Growth Mechanism of GaAs Nanowires on Si(111) : Impact of Growth Interruption, As and Ga flux, and Nitrogen Plasma Irradiation (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Ahn, Y. Araki, H. Hibi, M. Kondow, M. Yamaguchi, F. Ishikawa
  • 学会等名: The 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Banff, Canada
• [学会発表] Reflection High Energy Electron Diffraction Study for the Development of Nitrogen delta-doped Layer on GaAs(001) Surface (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Nishimoto, M. Kondow, F. Ishikawa
  • 学会等名: The 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Banff, Canada
• [学会発表] GaAs-Related Heterostructure Nanowires with Nitrogen and Oxygen Formed on Si(111) (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, H. Hibi, N. Ahn, Y. Araki, and M. Yamaguchi
  • 学会等名: 4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 発表場所: Lake Arrowhead, USA
• [学会発表] Introduction of Tensile-Strained Dilute Nitride Quantum Wells For Its Application to Dielectric-Rod Type Photonic Crystals (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, H. Goto, M. Morifuji
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Morphological and chemical properties of N delta-doped GaAs/(Al,Ga)As quantum wells (2013)
  • 著者名/発表者名: E. Luna, R. Gargallo-Caballero, S. Furuse, F. Ishikawa, A. Trampert
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Tokyo
• [学会発表] Wet Oxidation of GaAs/AlGaAs core-shell nanowire for the fabrication of oxide heterostructure nanowires (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Hibi, N. Ahn, Y. Araki1, M. Kondow, M. Yamaguchi, F. Ishikawa
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Tokyo
• [学会発表] Epitaxial Growth of Dilute Nitride Semiconductor Nanostructures :δ-doping Quantum Structures and Nanowires (2012)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa
  • 学会等名: The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Orland, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Formation of III-V semiconductor/oxide heterostructure nanowires on Si and their extention to buried entire structure
  • 著者名/発表者名: Hideaki Hibi, Namsoo Ahn, Masahiko Kondow, Masahito Yamaguchi, Fumitaro Ishikawa
  • 学会等名: 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • 発表場所: Boston （USA）
• [学会発表] Investigations on the Growth Mechanism of GaAs Nanowires on Si(111): Impact of Growth Interruption, As and Ga flux, and Nitrogen Plasma Irradiation
  • 著者名/発表者名: N. Ahn, Y. Araki, H. Hibi, M. Kondow, M. Yamaguchi, and F. Ishikawa
  • 学会等名: The 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2013)
  • 発表場所: Banff (Canada)
• [学会発表] Reflection High Energy Electron Diffraction Study for the Development of Nitrogen delta-doped Layer on GaAs(001) Surface
  • 著者名/発表者名: N. Nishimoto, M. Kondow, and F. Ishikawa
  • 学会等名: The 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2013)
  • 発表場所: Banff (Canada)
• [学会発表] GaAs-Related Heterostructure Nanowires with Nitrogen and Oxygen Formed on Si(111)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, H. Hibi, N. Ahn, Y. Araki, and M. Yamaguchi
  • 学会等名: 4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2013)
  • 発表場所: Lake Arrowhead （USA）
• [学会発表] Introduction of Tensile-Strained Dilute Nitride Quantum Wells For Its Application to Dielectric-Rod Type Photonic Crystals
  • 著者名/発表者名: Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Goto and Masato Morifuji
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Fukuoka
• [学会発表] Low-dimensional dilute nitride semiconductor heterostructures with delta-doping and nanowires
  • 著者名/発表者名: Fumitaro Ishikawa
  • 学会等名: Collaborative Conference on Materials Research 2013
  • 発表場所: Jeju （South Korea）
  • 招待講演
• [学会発表] Morphological and chemical properties of N delta-doped GaAs/(Al,Ga)As quantum wells
  • 著者名/発表者名: E. Luna, R. Gargallo-Caballero, S. Furuse, F. Ishikawa, and A. Trampert
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe
• [学会発表] Wet Oxidation of GaAs/AlGaAs core-shell nanowire for the fabrication of oxide heterostructure nanowires
  • 著者名/発表者名: Hideaki Hibi, Namsoo Ahn, Yoshiaki Araki, Masahiko Kondow, Masahito Yamaguchi, Fumitaro Ishikawa
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe
• [学会発表] Epitaxial Growth of Dilute Nitride Semiconductor Nanostructures: δ-doping Quantum
  • 著者名/発表者名: Fumitaro Ishikawa
  • 学会等名: The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Orland
  • 招待講演
• [学会発表] Growth and characterization of GaAs/δ-doped nitrogen superlattice
  • 著者名/発表者名: K. Sumiya, M. Morifuji, Y. Oshima, F. Ishikawa
  • 学会等名: The Seventeenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara
• [学会発表] Annealing effect on (Ga,In)(N,As) investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption fine structure
  • 著者名/発表者名: S. Fuyuno, F. Ishikawa, K. Higashi, A. Kinoshita, M. Morifuji, M. Kondow, H. Oji, J.-Y. Son, T. Honma, T. Uruga, and A. Trampert
  • 学会等名: The Seventeenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara
• [学会発表] Over 1.5 μm Deep Dry Etching of Al-rich AlGaAs for Photonic Crystal Fabrication
  • 著者名/発表者名: Y. Kitabayashi, M. Mochizuki, F. Ishikawa, M. Kondow
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Kyoto
• [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAsN Nanowire on Si(111) Substrate
  • 著者名/発表者名: Y. Araki, M. Yamaguchi, and F. Ishikawa
  • 学会等名: 39th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa-Barbara
• [学会発表] Potential of GaInNAs for Its Application to Micro-fabrication Optical Devices
  • 著者名/発表者名: H. Goto, F. Ishikawa, M. Morifuji, and M. Kondow
  • 学会等名: 39th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa-Barbara
• [学会発表] Impact of strain on the microstructure of N δ-doped (In,Ga)As quantum wells
  • 著者名/発表者名: R.Gargallo-Caballero1, E. Luna1, F. Ishikawa, A. Trampert
  • 学会等名: Europiran Material Research Society 2012 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg
• [学会発表] 化合物半導体水蒸気酸化による酸化物ヘテロ構造ナノワイヤの形成
  • 著者名/発表者名: 日比秀昭，荒木義朗，安南洙，石川史太郎，山口雅史
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] 基板上GaAsナノワイヤのMBE成長と各種成長中断効果
  • 著者名/発表者名: 安南洙，荒木義明，日比秀昭，石川史太郎，山口雅史
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木
• [学会発表] フォトニック結晶作製を目的とした高Al組成AlGaAs深掘ドライエッチング
  • 著者名/発表者名: 北林佑太，望月雅也，石川史太郎，近藤正彦
  • 学会等名: 秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] GaAs(001) 面上窒素δドープ層形成過程のRHEED解析(2)
  • 著者名/発表者名: 西本徳久，角谷健吾，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] GaAsへの窒素デルタドープ層導入による超格子構造の作製と評価(2)
  • 著者名/発表者名: 角谷健吾，森藤正人，大島義文，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] Si(111)基板上GaAsNナノワイヤのMBE成長
  • 著者名/発表者名: 荒木義朗，石川史太郎，山口雅史
  • 学会等名: 秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] GaAs系半導体の誘電体ロッド型フォトニック結晶作製技術の検討
  • 著者名/発表者名: 後藤洋昭，森藤正人，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of GaAsN nanowire
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa and Y. Araki
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 修善寺
• [学会発表] Growth and characterization of delta-doped nitrogen/GaAs superlattice
  • 著者名/発表者名: K. Sumiya, M. Morifuji, Y. Oshima, and F. Ishikawa
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 修善寺
• [学会発表] GaAs（001）面上窒素δドープ層形成過程のRHEED解析
  • 著者名/発表者名: 西本徳久，角谷健吾，石川史太郎
  • 学会等名: 春季第59回 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] Si(111) 基板上GaAs ナノワイヤのMBE成長時窒素プラズマ照射効果
  • 著者名/発表者名: 荒木義朗，後藤洋昭，石川史太郎
  • 学会等名: 春季第59回 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] Characteristics of Nitrogen δ-doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
  • 著者名/発表者名: S. Furuse, K. Sumiya, M. Morifuji, F. Ishikawa
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Nagoya
• [学会発表] Characterization of the Oxide Film Obtained by Wet Oxidation of AlxGa1-xAs with x=0.55-0.99
  • 著者名/発表者名: Y. Hirai,T. Yamada, M. Kondow, F. Ishikawa
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Nagoya
• [学会発表] Effect of Plasma Processes on the Characteristics of GaAs Related Optical Device Structure
  • 著者名/発表者名: A. Watanabe, F. Ishikawa, M. Kondow
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Nagoya
• [学会発表] F. Ishikawa, S. Furuse, K. Sumiya, A. Kinoshita, and M. Morifuji
  • 著者名/発表者名: Nitrogen Delta-doping: Band Engineering of III-V Semiconductors
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: La Jolla
• [学会発表] Strain-induced Composition Limitation in N δ-doped InGaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
  • 著者名/発表者名: R. Gargallo Caballero, E. Luna, F. Ishikawa, and A. Trampert
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: La Jolla
• [学会発表] Unintentional Source Incorporation During Molecular Beam Epitaxy Induced by Gas Phase Scattering
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa and M. Kondow
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: La Jolla
• [学会発表] フォトニック結晶作製に向けた高Al組成AlGaAsドライエッチングに関する研究
  • 著者名/発表者名: 望月雅矢，石川史太郎，近藤正彦
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] プラズマプロセスがGaAs系半導体光学素子構造諸特性に与える影響
  • 著者名/発表者名: 渡辺章王，石川史太郎，近藤正彦
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] 高Al組成AlxGa1-xAs水蒸気酸化により形成したAlOx薄膜の光学的特性評価
  • 著者名/発表者名: 平井裕一郎，山田高寛，近藤正彦，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素δ-ドープに関する研究
  • 著者名/発表者名: 古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] GaAsへの窒素δドープ層導入による超格子構造の作製と評価
  • 著者名/発表者名: 角谷健吾，古瀬慎一朗，石川史太郎
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] GaInNAs の微細加工発光デバイス応用有効性の検討
  • 著者名/発表者名: 後藤洋昭，石川史太郎，森藤正人，近藤正彦
  • 学会等名: 秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] Nitrogen delta-doping for band engineering of III-V semiconductors
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, S. Furuse, K. Sumiya, A. Kinoshita, and M. Morifuji
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 守山
• [学会発表] Tight-binding study on electronic structure of GaNxAs1-x
  • 著者名/発表者名: A. Kinoshita, F. Ishikawa, and M. Morifuji
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 守山