| 研究課題/領域番号 |
23686006
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
長浜 太郎 北海道大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20357651)
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| 研究期間 (年度) |
2011-11-18 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | スピントロニクス / フェライト / トンネル磁気抵抗効果 / スピン流 / スピネルフェライト / スピントルク / スピンエレクトロニクス / 磁性 / MBE・エピタキシャル / 先端機能デバイス |
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| 研究概要 |
スピントロニクス分野ではMRAMやスピントルクRAMが注目を浴びている。とくにスピントルクRAMでは省電力な磁化反転技術として、スピン注入磁化反転を用いている。Slonczewskiは磁性絶縁体中に励起されるスピン波によって、高効率なスピン流生成が可能であることを示した。本研究ではエピタキシャルなフェライト層を含むMTJ素子の作製技術を確立するとともに、その磁気特性、および磁気抵抗効果の評価を行った。その結果、非磁性挿入層としてPtが適していることや、非磁性挿入により保磁力の増大が観測されるなどの新たな知見を得た。また電子線リソグラフィーを用いた微小素子を作製し、70%の磁気抵抗を観測した。
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