極性ワイドギャップ半導体の量子情報処理応用に関する研究

• 研究課題/領域番号: 23686010
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用光学・量子光工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 片山 竜二 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 28,600千円 (直接経費: 22,000千円、間接経費: 6,600千円); 2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円); 2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円); 2011年度: 22,360千円 (直接経費: 17,200千円、間接経費: 5,160千円)
• キーワード: 量子光学 / 非線形光学 / 窒化ガリウム / 酸化チタン / 分子線エピタキシー / 有機金属気相成長 / スパッタリング / 反応性スパッタリング / 擬似位相整合 / 第二高調波発生 / GaN / 周期的極性反転

研究概要

窒化物半導体に代表されるワイドギャップ半導体における強い二次光学非線形性と励起子光子相互作用に基づき、光パラメトリック下方変換過程と共鳴ハイパーパラメトリック散乱過程を利用した新規量子相関光子対発生素子の実現を目標とし、その要素技術を開発した。特に導波方向に沿って周期的に極性を反転した縦型擬似位相整合GaN導波路を作製し、高効率紫色第二高調波発生を実証することで、本材料系の量子光学素子への有用性を示した。

研究成果

• [雑誌論文] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation into InGaN Grown by MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 雑誌名: Joumal of Nanoscience and Nanotechynology 巻: 14 号: 8 ページ: 6112-6115
  • DOI: 10.1166/jnn.2014.8306
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki and R. Katayama(他6名)
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53(5S1) 号: 5S1 ページ: 05FL07-05FL07
  • DOI: 10.7567/jjap.53.05fl07
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL05-05FL05
  • DOI: 10.7567/jjap.53.05fl05
  • 査読あり
• [雑誌論文] Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi and R. Katayama(他4名)
  • 雑誌名: phys. stat. sol. (c) 巻: 10(3) 号: 3 ページ: 417-420
  • DOI: 10.1002/pssc.201200667
  • 査読あり
• [雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs (2013)
  • 著者名/発表者名: Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
  • 雑誌名: THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 巻: 1566 (1) ページ: 538-539
  • DOI: 10.1063/1.4848523
  • 査読あり
• [雑誌論文] Key Factors for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of InGaN Films with High InN Molar Fraction (2013)
  • 著者名/発表者名: Yu Huai Liu, Fang Wang, Wei Zhang, Shou Yi Yang, Yuan Tao Zhang, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
  • 雑誌名: Applied Mechanics and Materials 巻: 341 ページ: 204-207
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amm.341-342.204
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 378 ページ: 85-87
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
  • 査読あり
• [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer (2013)
  • 著者名/発表者名: M Kakuda, S Morikawa, S Kuboya, R Katayama, H Yaguchi, K Onabe
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 378 ページ: 307-309
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.120
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 536 ページ: 152-155
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.04.004
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films (2012)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi and R. Katayama(他5名)
  • 雑誌名: Key. Eng. Mater 巻: 508 ページ: 193-198
  • URL: http://www.scientific.net/KEM.508.193
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tilted domain and indium content of MOVPE-grown InGaN layer on m-plane GaN substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki and R. Katayama(他4名)
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
  • DOI: 10.1143/jjap.51.04dh01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他7名)
  • 雑誌名: Proc. of SPIE 巻: 8268 ページ: 826814-826913
  • DOI: 10.1117/12.909831
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films (2012)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi, S. Kumar, S. Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 雑誌名: Key. Eng. Mater. 巻: 508 ページ: 193-198
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.508.193
  • 査読あり
• [雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201
  • DOI: 10.1143/apex.5.111201
  • 査読あり
• [学会発表] Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hilloks (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 Annual Meeting of Excellent Graduate School for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" & International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure
  • 発表場所: Sendai, Japan
• [学会発表] Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on LED and it’s industrial application ‘14
  • 発表場所: Yokohama, Japan
• [学会発表] Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on LED and it’s industrial application ‘14
  • 発表場所: Yokohama, Japan
• [学会発表] MOVPE成長 －c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制 (2014)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子，崔正焄，岩渕拓也，宇佐美徳隆，谷川智之，窪谷茂幸，花田貴，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学淵野辺キャンパス
• [学会発表] c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定 (2014)
  • 著者名/発表者名: 花田貴，稲葉克彦，正直花奈子，崔正焄，片山竜二，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学淵野辺キャンパス
• [学会発表] Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他8名)
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 2013-09-18
  • 招待講演
• [学会発表] Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Yoshinogawa and R. Katayama(他5名、6番)
  • 学会等名: The 32nd Electron. Mater. Symp
  • 発表場所: Shiga
  • 年月日: 2013-07-11
• [学会発表] 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二(他7名)
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2013-07-11
  • 招待講演
• [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長挙動の格子極性依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 吉野川伸雄,片山竜二(他5名、6番)
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2013-03-28
• [学会発表] Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada and T. Matsuoka
  • 学会等名: Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)
  • 発表場所: Yokohama, Japan
• [学会発表] mprovement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 40th Intern. Symp. on Comp. Semcond. (ISCS2013)
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown －c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
  • 学会等名: 10th Int. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 10th Int. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, N. Yoshinogawa, S. Kurokawa, T. Tanikawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Enhancement of Surface Migration by Mg Doping in the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of (000-1) GaN/sapphire (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J.-H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] The improvement of N-polar GaN surface during MOVPE growth with indium surfactant (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi1, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists
  • 発表場所: Sendai, Japan
• [学会発表] 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二、黒川周斉、吉野川伸雄、谷川智之、福原裕次郎、窪谷茂幸、尾鍋研太郎、松岡隆志
  • 学会等名: 第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学吹田キャンパス
  • 招待講演
• [学会発表] Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖
• [学会発表] Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada and T. Matsuoka
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖
• [学会発表] Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖
• [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定 (2013)
  • 著者名/発表者名: 高宮健吾，八木修平，土方泰斗，望月敏光，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎，矢口裕之
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学田辺キャンパス
• [学会発表] ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察 (2013)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子，花田貴，崔正焄，島田貴章，今井康彦，木村滋，谷川智之，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 社大学田辺キャンパス
• [学会発表] MOVPE成長–c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制 (2013)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
  • 学会等名: 第68回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 山形大学米沢キャンパス
• [学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈，崔正焄，進藤裕文，木村健司，谷川智之，花田貴，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進 (2013)
  • 著者名/発表者名: 逢坂崇，谷川智之，正直花奈子，木村健司，岩渕拓也，花田貴，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 吉野川伸雄，岩渕拓也，正直花奈子，木村健司，谷川智之，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他8名)
  • 学会等名: Int. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2012-10-18
  • 招待講演
• [学会発表] Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他5名)
  • 学会等名: Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara
  • 年月日: 2012-09-25
• [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity- inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他5名)
  • 学会等名: Int. Conf. on Superlattices, nanostructures, and Nanodevices
  • 発表場所: Dresden, Germany
  • 年月日: 2012-07-26
• [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity- inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他5名)
  • 学会等名: 4th Intern. Symp. on Growth of III-nitrides
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
  • 年月日: 2012-07-19
• [学会発表] Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他8名)
  • 学会等名: The 31st Electron. Mater. Symp
  • 発表場所: Shizuoka
  • 年月日: 2012-07-13
• [学会発表] 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能 (2012)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二(他5名)
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-15
  • 招待講演
• [学会発表] 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能 (2012)
  • 著者名/発表者名: 片山竜二, 松岡隆志, 福原裕次郎, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京・早稲田(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama(他7名)
  • 学会等名: SPIE Photonics WEST 2012
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2012-01-23
  • 招待講演
• [学会発表] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: Ryuji Katayama, Yujiro Fukuhara, Masahiro Kakuda, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Syusai Kurokawa, Naoto Fujii, Takashi Matsuoka
  • 学会等名: SPIE Photonics WEST 2012
  • 発表場所: 米国・サンフランシスコ(招待講演)
  • 年月日: 2012-01-23
• [学会発表] マイクロファセットができたm面InGaN薄膜のIn濃度分布観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 花田貴，崔正焄，正直花奈子，今井康彦，木村 滋，島田貴章，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: プレIWN2012
  • 発表場所: 東京大学
• [学会発表] Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada and T.Matsuoka
  • 学会等名: The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)
  • 発表場所: Shuzenji, Japan
• [学会発表] Influence of sapphire substrate miscut angle on Indium content of MOVPE-grown InGaN films (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 学会等名: The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)
  • 発表場所: Shuzenji, Japan
• [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Enhancement of In-incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: J. H. Choi, S. Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama andT. Matsuoka
  • 学会等名: 4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Influence of Sapphire Substrate Miscut Angle on Indium Content of MOVPE-grown InGaN Films (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, J. H. Choi, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
  • 学会等名: 4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
  • 学会等名: Int. Conf. on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN2012)
  • 発表場所: Dresden, Germany
• [学会発表] Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe and T. Matsuoka
  • 学会等名: 17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara, Japan
• [学会発表] (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較 (2012)
  • 著者名/発表者名: 谷川智之，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada and T. Matsuoka
  • 学会等名: Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (0001) and (0001) GaN/Sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 学会等名: Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Study of In-composition of InGaN islands on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD (2012)
  • 著者名/発表者名: J.H. Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka, Y. Imai and S. Kimura
  • 学会等名: Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] MOVPE成長(0001) GaNのステップフロー成長の促進 (2012)
  • 著者名/発表者名: 逢坂崇，正直花奈子，岩渕拓也，木村健司，谷川智之，花田貴，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子，崔正焄，進藤裕文，木村健司，谷川智之，花田貴，片山竜ニ，松岡隆志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 吉野川伸雄，岩渕拓也，正直花奈子，木村健司，谷川智之，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [学会発表] (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み (2012)
  • 著者名/発表者名: 谷川智之，正直花奈子，崔正焄，片山竜二，松岡隆志
  • 学会等名: 第67回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [備考] 研究紹介
  • URL: http://www.matsuoka-lab.imr.tohoku.ac.jp/?katayama