研究課題
若手研究(A)
ホログラフィックメモリーは大容量記録と高速な転送レートが実現可能であることから次世代の光メモリーとして期待されている。本研究では、その新しい記録媒体として、ワイドバンドギャップ性を有するAlN結晶に着目し、深紫外領域におけるホログラム記録特性の評価とそのモデルについて検討を行った。その結果、AlN結晶は深紫外領域において他の半導体材料よりも大きな屈折率格子が形成され、有望なホログラム記録材料であることがわかった。また深紫外光励起による光誘起吸収プロセスについて評価し、AlN結晶における格子形成プロセスを明らかにした。
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