| 研究課題/領域番号 |
23686091
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
黒崎 健 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90304021)
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| 連携研究者 |
山中 伸介 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00166753)
牟田 浩明 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60362670)
大石 佑治 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20571558)
清野 智史 大阪大学, 大学院・工学研究科, 講師 (90432517)
石丸 学 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (00264086)
JUNG Doyoung 大阪大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程学生
PLIRDPRING Theerayuth 大阪大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程学生
HARNWUNGGMOUNG Adul 大阪大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程学生
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円)
2012年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2011年度: 20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
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| キーワード | 熱電材料 / 熱電変換 |
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| 研究概要 |
SbBiTe バルク合金は、室温付近において性能を発揮する高性能熱電材料である。一方、熱電材料の性能指数ZTを向上させるために重要なことは、高い電気伝導率を保ったまま格子熱伝導率κlat を減少させる、つまり電子は散乱されないがフォノンは散乱される状況を、材料中につくりだすことにある。本研究では、γ線照射法を用いて、Sb_<1.6>Bi_<0.4>Te_3 母相中に Au と AuTe2のナノ粒子が均一に分散した完全なナノコンポジット材料を作製した。主に、ナノ粒子と母相との界面におけるフォノン散乱により、ナノコンポジット材料のκlatは大きく減少し、結果、ZTが上昇した。Au と AuTe_2のナノ粒子を担持したSb_<1.6>Bi_<0.4>Te_3バルク熱電材料の最大のZTは 423 Kで 1.01 に達した。この値は、通常の Sb_<1.6>Bi_<0.4>Te_3 バルク熱電材料のZTよりも 18%高い値である。
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