| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| 研究概要 |
本研究では,高精度の非弾性電子トンネル分光(Inelastic electron tunneling spectroscopy : IETS)を計測し,その分析法としての有用性を示すために,走査トンネル顕微鏡(Scanning tunneling Microscope : STM)の改良および測定系の構築を行った.その結果
(1)STM-IETSの計測にとって理想的な欠陥の少ない広いテラスをもったアルカンチオール自己組織化単分子膜(Self-assembled monolayer: SAM)が作製できるようになり
(2)このSAMに対して,微分コンダクタンスの二次元像を安定して計測できるようになった.
装置改良と並行して,これまで計測してきたIETSの実験結果,新しく取得した赤外分光のデータ,密度汎関数法による理論的研究をもとに,新しい視点から非弾性トンネル分光に関する研究をまとめProgress in Surface Science において報告した.表面上の分子に対する非弾性電子トンネル過程の研究と関連して,ナノデバイス系においても非弾性電子トンネル過程が発現し,伝導コンダクタンスに影響を与える事を見出した.
|
