研究課題/領域番号 |
23710158
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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研究機関 | 愛知工業大学 |
研究代表者 |
五島 敬史郎 愛知工業大学, 工学部, 講師 (00550146)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
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キーワード | 量子ドット / 半導体レーザ / サブバンド準位 / 電子デバイス・電子機器 |
研究概要 |
高効率量子ドットレーザの開発に向けて量子ドットの多重積層構造に着目し、トンネル効果を利用したサブバンド準位を作り出す構造を提案した。ドット間結合効果の理論計算を行いドット間結合効果は、10nm以下の領域で起こることを予想した。検証実験でもドット間距離が10nm以下では結合効果が起きていることを明らかにした。サブバンド準位が存在する積層量子ドット間距離3.5nmのサンプルにおいて光増幅率が最も大きくなることを明らかにした。
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