| 研究課題/領域番号 |
23740243
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
高橋 和敏 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 准教授 (30332183)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 表面・界面 / グラフェン / 光電子分光 / 2光子光電子分光 / 放射光 / レーザー / ２光子光電子分光 |
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| 研究概要 |
ドープ特性を制御して作製したエピタキシャルグラフェンと参照物質であるグラファイトについて、非占有電子状態のバンド構造と励起電子状態の超高速緩和ダイナミクスを、シンクロトロン放射光による内殻・価電子帯光電子分光と、フェムト秒レーザーによる2光子光電子分光法により調べた。グラファイト上鏡像準位の電子寿命を波数分解で明らかするとともに、1から3層のエピタキシャルグラフェンの 3.14*状態の電子寿命を明らかにした。
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