| 研究課題/領域番号 |
23740306
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
大橋 隼人 電気通信大学, レーザー新世代研究センター, 非常勤研究員 (60596659)
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 原子,分子,多価イオン / 固体表面 / 多価イオン衝突 / 走査型トンネル顕微鏡 |
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| 研究概要 |
本研究では多価イオン源(EBIT)で生成されたイオンを低速で高配向性グラファイト(HOPG)に衝突させた際に形成されるナノサイズの微細構造生成過程の研究を行った。衝突イオン価数を大きくすると生成される突起状構造の直径が大きくなり,その形状はビスマス70価と75価の間でカルデラ状に変化することが確認された。また,入射角度を変化させることで非対称隆起や1個のイオンで複数の表面改質を引き起こしたことを示唆する大変興味深い結果が得られた。
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