| 研究課題/領域番号 |
23740309
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
|
|---|
| 研究機関 | 早稲田大学 |
|---|
研究代表者 |
新倉 弘倫 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (10500598)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
|
|---|
| キーワード | 原子 / 分子 / 高強度レーザー / トンネルイオン化 / 金属ナノチップ / イオン化ダイナミックス / 超短レーザーパルス / 超短高強度レーザーパルス / キャリアエンベロープ位相安定化 |
|---|
| 研究概要 |
金属ナノ先端からの超短高強度レーザーパルス照射に伴う電子放出過程を実験的方法を用いて研究した。直径が20nmのタングステンチップの先端に、35フェムト秒および6フェムト秒の高強度レーザーパルスを照射し、放出された電子のエネルギー分布を測定したところ、とびとびのスペクトルが観測された。また、ポンプ・プローブ法により時間分解測定を行った結果、放出される電子の収量に時間依存性が見られることがわかった。
|
