| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
|
|---|
| 研究概要 |
EP3, PEP 型 (E = Si, Ge, Sn) 配位子を有するロジウムおよびイリジウム錯体を合成した。GeP3, SnP3, PGeP, PSnP 型錯体は、初めての合成例である。一連の錯体を用いて、E の電子供与能およびトランス影響の評価を評価した。その結果、電子供与能は Ge < Si < Sn に、トランス影響は Sn < Si = Ge の順に増加することを明らかにした。さらに、新規錯体触媒を用いて触媒反応の開発に取り組み、新規錯体が水素脱離を伴う脱水素アルコールの触媒として機能することを見出した。
|
