| 研究課題/領域番号 |
23750066
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
大久保 貴志 近畿大学, 理工学部, 准教授 (90322677)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 配位高分子 / 電界効果トランジスタ / キャリア移動度 / 強誘電性 |
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| 研究概要 |
本研究ではこれまでジチオカルバミン酸を配位子とした銅二価単核錯体とハロゲン化銅を有機溶媒中で反応させることで種々の混合原子価配位高分子が合成できる事を見いだしてきており、本研究課題では特に高キャリア移動特性を示す配位高分子の合成と電界効果トランジスタ(FET)への応用を目指し研究を行ってきた。その結果、本研究で合成した強誘電性配位高分子 CuBrBu2Dを半導体層に用いた FETが、通常の有機 FETに比べて 1桁以上低電圧で高出力駆動することを見出した。この出力特性からキャリア移動度μを見積もったところ、μ=30.1 cm2/Vsと極めて高い値を示し、なおかつこの FETは正孔のみならず電子も輸送可能な両極性を示すことが明らかになった。
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