| 研究課題/領域番号 |
23750214
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
平松 秀典 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (80598136)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 電気 / 磁気デバイス / 超伝導薄膜 / 超伝導 / 臨界電流 / 高温超伝導 / 鉄系超伝導体 / 薄膜 / 傾角粒界接合 / 薄膜線材 |
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| 研究概要 |
研究代表者が鉄系超伝導体用に独自に開発したパルスレーザー堆積法(PLD法)を用いることによって、MgOと(La,Sr)(Al,Ta)O_3の[001]-tiltバイクリスタル基板上(傾角θ_GB=3～45度)に、高品質Co添加BaFe_2As_2薄膜を作製した。そして粒界特性を明らかにするため、傾角粒界を介する部分にブリッジ構造を作製し、電流-電圧特性からその傾角粒界におけるJcを測定した。その結果、J_cは9度の粒界傾角まで1MA/cm^2以上の高い値を保持することが明らかとなった。以上の結果により、鉄系超伝導体は、面内配向度が9度以下の金属基板を使えば、高いJ_cを示す薄膜線材が実現可能であるという設計指針を提示することができた。
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