| 研究課題/領域番号 |
23750239
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
深見 一弘 京都大学, エネルギー理工学研究所, 助教 (60452322)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 電気化学 / デンドライト / 二次電池 / 負極 / 多孔質電極 / 表面誘起溶媒和 |
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| 研究概要 |
次世代二次電池用の金属負極開発を目的に充電時に発生するデンドライトの抑制について取り組んだ。多孔質電極を用いて金属電析を行うと、疎水性多孔質シリコンのときに金属電析が細孔内で著しく促進されることを見出した。統計力学を用いた理論解析により、細孔の孔壁が疎水性の場合に孔壁近傍の金属イオン濃度がバルクの溶液に比べて著しく上昇することを明らかにした。多孔質シリコンを電極とした場合、拡散律速の限界電流以上の電流密度であっても高い電流効率を維持したまま電析が進行し、平板電極に比べてデンドライト成長が著しく抑制されることが示された。
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