| 研究課題/領域番号 |
23760001
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
松川 健 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ光源研究チーム, 特別研究員 (60580876)
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| 研究協力者 |
小野寺 恒信 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (10533466)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電子電気材料 / 有機半導体結晶 / 外場応答 / 結晶配向制御 / 半導体物性 / 結晶成長 / 有機半導体 / 有機トランジスタ / 双極子モーメント / ルブレン / 有機単結晶 / 電場配向 / 電界効果トランジスタ / 誘起双極子 |
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| 研究概要 |
非極性溶媒中で分散したルブレン結晶の電場応答配向を観測した。AC 電場印加時、ルブレン結晶は結晶サイズに依存した閾値電圧以上で応答した。SiO2/Si 基盤上で、最大の双極子モーメントを有する結晶の長軸(b 軸) は、数十秒で電場印加方向に対して平行に回転した。液中で配向した結晶のFET は、b 軸方向で0.03～0.07 cm2/Vs であり、ばらつきの少ないキャリア移動度を示した。この配向制御技術は、大面積基板上での単結晶FET 素子作製への応用が期待できる。
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